Une Révolution dans le Stockage des Données
Samsung a récemment annoncé le développement d’une mémoire flash V-NAND de dixième génération, comportant au moins 400 couches empilées verticalement. Cette avancée technologique représente un pas significatif vers l’optimisation des solutions de stockage haute capacité, essentielles pour soutenir les exigences croissantes des centres de données, notamment ceux orientés vers l’intelligence artificielle.
La Technologie de Bonding Vertical NAND
Pour surmonter les défis posés par l’empilement de plus de 300 couches, qui peut endommager les circuits périphériques, Samsung mise sur la technologie de bonding vertical (BV). Cette méthode innovante consiste à fabriquer séparément les cellules mémoire et les circuits périphériques sur des wafers distincts, avant de les assembler verticalement. Grâce à cette approche, Samsung prévoit une augmentation de la densité de bits par unité de surface de 60 %.
Impact sur les Performances et l’Efficacité
Avec ces progrès, les futurs SSD Gen 5.0 de 16 To devraient offrir non seulement une capacité accrue, mais également des vitesses de transfert de données améliorées et une meilleure efficacité thermique. L’innovation du V-NAND de 400 couches pourrait transformer à jamais la manière dont les données sont stockées et gérées, s’alignant ainsi aux besoins des infrastructures de données modernes.
